제조업체 제품 번호:
IPU09N03LB G
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPU09N03LB G-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
상세 설명:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-21
재고:
12803563
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제출
IPU09N03LB G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
50A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 20µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1600 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
58W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO251-3-21
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
기본 제품 번호
IPU09N
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IPU09N03LBG
IPU09N03LB G-DG
IPU09N03LBGX
SP000209115
표준 패키지
1,500
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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